삼성 반도체 기술력 또 과시

세계최초 60나노급 2Gb DDR2 D램 개발

삼성 반도체 기술력 또 과시

세계최초 60나노급 2Gb DDR2 D램 개발

김호정 기자 [e-mail]

삼성전자가 세계 최초로 60나노급 2기가비트(Gb) DDR2 D램을 개발, 메모리 반도체 최강자의 기술력을 다시 한번 과시했다.

삼성전자는 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 2Gb DDR2 D램(사진) 개발에 성공, 인텔 인증을 획득하고 연말부터 양산에 들어간다고 12일 밝혔다. 삼성은 지난 3월 60나노급 1Gb DDR2 D램에 이어 2Gb 제품까지 개발함으로써 업계 처음으로 DDR2 D램 전 제품을 60나노급으로 전환하는데 성공했다.

이 제품은 3년 전에 나온 80나노급 2Gb D램의 최대 속도인 667Mbps(초당 667Mb 데이터 처리) 대비 20% 가량 성능이 향상된 800Mbps 구현이 가능하다. 1Gb D램 36개로 구성된 4GB(기가바이트) D램 모듈을 2Gb 18개로 대체할 수 있어 전력 및 발열량을 크게 줄였다고 회사측은 설명했다.

삼성전자의 한 관계자는 “60나노급 제품이 80나노급 보다 40% 정도 높은 가격을 받을 수 있어 70~80 나노 공정을 채택하고 있는 경쟁업체와의 차별화가 가능할 것”이라고 설명했다.

삼성전자는 2Gb 제품 양산과 함께 D램 주력제품을 기존의 512Mb(메가비트)에서 1Gb로 전환할 방침이다. 이를 위해 연말까지 1Gb 제품의 수량비중을 40%로, 내년 상반기에는 절반 이상으로 끌어올릴 계획이다.

입력시간 : 2007/09/12 17:51