삼성전자는 25일 차세대 스마트폰용 내장메모리 ‘256기가바이트 UFS(유에프에스)’를 세계 최초로 양산한다고 밝혔다.
삼성은 작년 1월 128기가바이트 UFS를 업계 최초로 양산한 이후 1년 만에 용량과 속도를 2배 높인 제품을 내놨다. UFS는 국제 반도체표준화 기구 ‘제덱’(JEDEC)의 최신 내장메모리 규격인 ‘UFS 2.0’ 인터페이스를 적용한 제품이다.
새 제품에는 평면이 아닌 V낸드 플래시가 탑재된다. V낸드란 데이터 저장단위를 수직으로 쌓아올려 속도와 내구성, 생산성은 향상시키고 전략소모량은 낮추는 첨단 제품으로서 지금까지는 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등에 주로 적용됐다.
삼성전자는 V낸드를 향후 모든 플래시 메모리 반도체 제품으로 확산한다는 계획 아래 스마트폰에도 넣기 시작했다. 이로써 후발업체들과 기술격차는 더 벌어진다. 삼성전자는 3세대(48단) V낸드까지 양산에 성공했지만 SK하이닉스와 도시바, 마이크론 등 추격자들은 여전히 개발 중이다.
V낸드 기술을 바탕으로 256기가바이트 UFS 메모리는 초고속·초대용량·초소형 특성을 갖췄다. 크기는 마이크로 SD카드보다도 작아 자유로운 스마트폰 디자인을 가능케 한다.
속도는 2개의 UFS 데이터전송 통로를 구성해 850MB/s의 연속읽기 속도를 달성했다. 연속쓰기 속도도 스마트폰에서 확장 메모리로 사용되는 외장형 고속 마이크로SD카드보다 약 3배 빠른 260MB/s까지 높였다. 삼성전자 관계자는 “연속읽기 속도 기준으로는 마이크로SD 카드보다 9배 빠르고 노트북용 보급형 SSD보다도 2배 가까이 빠르다”고 밝혔다. /이종혁기자 2juzso@sed.co.kr
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