삼성전자가 세계 최초로 ‘3세대 10나노급(1z) 8기가비트(Gb) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 21일 밝혔다. 삼성전자는 지난 2017년 11월 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한 지 16개월 만에 역대 최고 미세 공정 한계를 다시 한 번 극복했다. D램 칩은 전자 회로가 나노급으로 미세하게 그려지는데 z는 미세 공정 기술이 가장 진일보한 수준이다. 삼성전자는 올 하반기부터 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산할 계획이다.
특히 이번에 개발된 10나노급(1z) D램에는 한 대당 1,000억원 이상인 극자외선(EUV) 장비가 사용되지 않았다. 이는 삼성전자의 미세 공정 기술력이 그만큼 뛰어나다는 의미다. 삼성전자는 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성이 20% 이상 향상됐고 속도 증가로 전력 효율 역시 개선됐다.
삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료함으로써 글로벌 정보기술(IT) 고객의 수요를 본격 확대해나갈 수 있게 됐다. 삼성전자는 올 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고 오는 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5·LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하게 된다. 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화할 수 있게 됐다는 평가다. 아울러 삼성전자는 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정이다.
관련기사
이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 “미세 공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다”며 “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해나갈 것”이라고 강조했다. 한편 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 발맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있다. 특히 2020년에 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축해 초격차 전략을 강화할 계획이다.
/고병기기자 staytomorrow@sedaily.com
< 저작권자 ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지 >
