SK하이닉스(000660)는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gbit) DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다. 전 세대인 2세대 10나노급(1y) D램을 개발한 지 11개월 만으로 기존 제품 대비 생산성은 약 27% 향상됐다. 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해내 웨이퍼 1장에서 생산하는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다.
초고가의 극자외선(EUV) 노광 공정을 도입하지 않고도 생산할 수 있어 원가 경쟁력도 갖췄다. 반도체 성능이 고도화되면서 더욱 미세한 회로를 그려넣기 위해 극자외선을 활용하는 EUV 노광 장비를 사용해야 하는데 대당 2,000억원을 호가하는 가격 때문에 원가 상승의 부담이 있다. SK하이닉스가 이번에 개발한 D램은 기존 ArF(불화아르곤) 장비를 사용한다.
전력 효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3,200Mbps까지 안정적으로 지원한다.
SK하이닉스 관계자는 “3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량을 극대화했다”고 설명했다. 정전용량은 전하를 저장할 수 있는 양이나 능력을 뜻하는 말로 D램의 정전용량이 늘어나면 데이터의 유지시간과 정합도가 상승한다.
이정훈 D램개발사업 1z TF장은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 말했다.
SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용할 계획이다.
/변수연기자 diver@sedaily.com
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