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산업기업
삼성, 올 반도체 투자 35조 예상···韓·美·中에 동시다발 증설

■심층분석

TSMC 공세 맞서 평택 파운드리·메모리 라인 강화

연내 美 오스틴 2공장 착공 전망…中선 낸드 사업 확대





삼성전자의 올해 반도체 설비 투자 금액이 사상 최대인 ‘35조 원’에 이를 것으로 전망된다.

27일 증권 업계에 따르면 삼성전자의 올해 반도체 설비 투자 금액은 지난해 28조 9,000억 원에서 20%가량 증가한 35조 원으로 추산된다. 메모리 반도체에 24조 원, 파운드리(반도체 위탁 생산) 등 시스템 반도체에 11조 원이 투입될 것으로 보인다. 이같은 설비 투자 규모를 예상한 김선우 메리츠 증권 연구원은 “삼성전자는 올해 시스템 반도체 투자에 공격적으로, D램 투자에 대해서는 보수적으로 변할 것으로 전망한다”고 밝혔다. 파운드리 시장 확대에 경쟁자인 TSMC는 이미 올해만 30조 원을 투자하겠다고 밝혔다. 후발 주자인 삼성전자도 파운드리 설비 투자에 공격적으로 나설 수밖에 없다.

삼성의 올해 반도체 설비 투자는 국내 뿐 아니라 미국·중국에서 동시다발적으로 이뤄진다. 국내에서는 평택공장을 메모리와 파운드리 생산 기지로 탈바꿈하는 작업이 진행된다. 총 30조 원을 투입하는 제2공장은 현재 V낸드와 파운드리 생산 라인이 구축되고 있다. 올해 초 파운드리 설비 반입이 이뤄졌고 하반기 가동을 목표로 하고 있다.

여기에 메모리와 파운드리를 복합 생산하는 제3공장도 올해 건물을 준공할 것으로 보인다. 향후 설비 반입 등을 통해 오는 2023년 가동될 것으로 전망된다. 제2공장보다 규모가 더 큰 만큼 제3공장 구축에 총 투입되는 금액은 30조 원을 훌쩍 넘길 것으로 보인다. 보통 건물을 준공하고 장비 입고에는 2~3년 정도가 걸리는데 시황에 따라 메모리·파운드리 생산 비중이 달라진다.

중국 시안 공장도 올해 제2공장의 2단계 투자를 마무리하는 수순을 밟고 있다. 제1단계에 이미 90억 달러가량을 투입했고 2단계에서는 80억 달러가 투입됐다. 국내 화성·평택 공장과 함께 시안 공장 본격 가동으로 낸드 사업 확대를 꾀한다.



가장 주목할 것은 미국 오스틴 제2공장 투자 여부다. 최근 외신 등을 통해 삼성이 100억 달러 이상을 투자해 3나노 이하 공정이 가능한 공장 구축을 검토하고 있다는 보도가 나왔다. 삼성은 이에 대해 “투자와 관련해 결정된 바가 없다”는 입장이다. 시황과 고객사 확보 등에 맞춘 탄력적 운용을 하겠다는 것이다.

업계에서는 올해 안에 오스틴 제2공장 착공 및 건물 준공은 할 수 있겠지만 본격적인 설비 입고가 이뤄지기는 어려울 것으로 보고 있다. 고객사 확보와 지정학적 리스크 때문이다.

이날 디지타임스는 TSMC가 인텔 3나노 CPU를 수주했다고 보도했다. 최근 인텔의 사우스브리지 칩셋(메인보드에 들어가는 칩셋)을 수주한 삼성전자 입장에서는 김 빠지는 소식이다. 첫 거래의 물꼬를 튼 만큼 향후 3나노 기반의 CPU 수주를 바랐기 때문이다. 결국 TSMC가 핵심 장치를 차지한 가운데 삼성전자는 고객사 확보와 기술 투자라는 ‘두 마리 토끼’를 동시에 따라가야 하는 상황이 됐다.

삼성전자가 미국 공장 증설에 신중할 수밖에 없는 것은 지정학적 요인도 있다. 반도체 업계의 한 관계자는 “고객사 확보도 중요한 요인이지만 미중 무역 분쟁 속에서 조 바이든 대통령 취임 직후에 투자 확대를 했다 중국에 친미 기업으로 비쳐질 수 있어 조심할 수밖에 없을 것”이라고 진단했다.

/변수연 기자 diver@sedaily.com
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