삼성전자가 조만간 발표할 미국 신규 파운드리에 최첨단 공정이 적용될 것이라는 전망이 나오고 있다. 회사의 신규 공장 부지로 미국 텍사스 주 테일러시가 유력한 후보로 떠오른 가운데, 향후 현지 삼성·인텔·TSMC 간 첨단 파운드리 기술 경쟁이 격화할 것으로 전망된다.
13일 텍사스시그널 등 현지 외신에 따르면 삼성전자 미국 법인은 미국 텍사스 주 윌리엄슨 카운티, 테일러시와 지난 8일(현지시간) 가진 합동회의에서 ‘반도체 산업에서 가장 진보한 기술’이라는 문구를 최종 결의안에 넣기로 합의했다.
삼성전자는 170억 달러(약 20조 원)를 투입 예정인 미국 내 두 번째 파운드리 공장 부지 선정을 위해 테일러 시와 협상을 벌이고 있다.
만약 삼성이 테일러에 새로운 파운드리 공장을 구축할 경우, 최첨단 칩 제조 공정을 이곳에서 운영할 가능성이 커졌다.
현재 삼성전자는 미국 오스틴 파운드리 공장에서 14나노미터(㎚·10억 분의 1미터) 기반 파운드리 서비스를 현지 고객사에게 제공하고 있다. 현재 국내 파운드리 공장에서 극자외선(EUV)를 활용한 5나노 공정을 운영 중이고, 내년 3나노 서비스를 본격 도입할 예정이다.
텍사스시그널 등 지역 언론은 “이번 합의를 통해 3나노급 차세대 반도체 공정이 테일러 시에 들어설 것으로 예상된다”고 언급했다.
삼성이 3나노 공정을 현지 파운드리에 도입하게 되면, 이미 미국 내 파운드리 팹 구축에 들어간 인텔, TSMC와의 치열한 파운드리 경쟁이 예상된다.
삼성전자 관계자는 이 사안에 대해 “아직 부지 선정이 확정되지 않았다”며 “투자는 시황에 따라 탄력적으로 진행할 것”이라고 밝혔다.
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