“10나노미터(㎚·10억분의 1m) 이하 D램, 1,000단 이상 낸드플래시 기술 확보를 위한 새로운 혁신을 준비해야 합니다. 소재·부품·장비(소부장) 업체와 협력, 전문 인력 양성 으로 기술 난제를 극복해야 합니다.”
이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 26일 온라인으로 열린 ‘제23회 반도체대전(SEDEX 2021)’ 기조 연설에서 반도체 기술 한계를 뛰어넘기 위해 소부장 업체와의 굳건한 협력과 전문 인력 양성이 절실하다고 밝혔다.
이 사장은 연설을 시작하면서 코로나19 팬데믹(세계적 대유행)이 장기화하면서 디지털 전환 속도가 빨라지고 있는 현상에 주목했다. 인공지능(AI), 빅데이터 기술 진화로 자율주행 및 로봇 기술이 일상에 더 가까이 다가오고 있음을 강조했다.
그러면서 그는 이러한 미래 기술의 시작은 ‘칩’이며, 향후 반도체의 역할이 더욱 중요해질 것이라고 내다봤다. 이 사장은 “초연결 사회에서 데이터 흐름은 갈수록 복잡해지고 다양해져 데이터 양이 폭발적으로 증가할 것”이라며 “반도체 업계는 이러한 데이터를 원활하게 처리할 수 있도록 기술을 지원해야 한다”고 설명했다.
하지만 더 빠르고 효율적인 반도체를 만들기 위한 기술 난도가 나날이 커지고 있다는 게 문제다. 삼성전자의 경우 최근 업계 최초로 5개 레이어에 극자외선(EUV) 공정을 도입한 14나노 D램을 양산하고, 세계 최초로 수직으로 데이터 저장 공간을 쌓아 올리는 V낸드를 개발, 세계 최고 수준의 낸드 플래시를 생산 중이다.
그러나 앞으로 10나노 이하 초미세 회로 D램, 1,000단 이상의 낸드플래시를 생산해 내려면 전공정, 패키징 등 공정 전방위에서 다가올 극한의 기술적 한계를 극복해야 한다는 게 이 사장 주장이다.
이 사장은 이러한 문제를 칩 제조 업체만의 힘으로는 극복할 수 없다고 밝혔다. 그는 소부장 업체와 강력한 생태계를 만들어 함께 난제를 풀어나가야 한다고 강조했다. 이 사장은 “미세 회로 및 고적층 V낸드를 제조하려면 신소재, 전자 빔 등을 활용한 고난도 검사 장비 등이 필요하기에 소부장 업체들과 굳건한 협력이 필요하다”고 말했다.
미래 반도체 개발을 이끌 반도체 인력 양성도 꾸준히 이어져야 한다고 강조했다. 이 사장은 “정부·기업·학계가 연대해 전문 인력 양성을 위해 많은 투자와 노력을 아끼지 않고 있다”며 “단기간 구호가 아닌 반도체 생태계를 더욱 강화해 선순환 시스템으로 자리 잡을 때까지 지속적 관심이 필요하다”고 전했다.
< 저작권자 ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지 >
hr@sedaily.com
