삼성전자(005930)가 지난 한 해 48조2,000억원에 달하는 시설투자를 집행했다. 초미세공정에서 기술 리더십을 유지하려는 삼성전자의 노력이 대규모 투자로 이어진 것으로 분석된다.
삼성전자는 27일 오전 진행된 투자자 대상 콘퍼런스콜에서 2021년 반도체 분야에 대한 시설투자 금액이 43조6,000억원이라고 발표했다. 디스플레이에는 2조6,000억원이 투입됐다.
삼성전자의 반도체 시설투자금 43조6,000억원은 독보적 경쟁력을 보유하고 있는 메모리 반도체 분야에 집중된 것으로 추정된다. 이날 발표에 따르면 시설투자금은 극자외선(EUV) 공정 기반 15나노미터 D램과 V6 낸드플래시 등 차세대 제품을 공급하기 위한 첨단공정 구축에 집중적으로 쓰였다. 삼성전자는 경기도 평택과 중국 시안에 있는 생산라인을 증설하고 기존 공정을 선단공정으로 전환하는데 이 금액이 활용됐다고 설명했다.
또한 평택에 건설중인 P3라인 투자에도 시설투자금이 투입됐다. 삼성전자가 경쟁력 향상을 꾀하고 있는 반도체위탁생산(파운드리) 분야는 평택의 EUV 5나노미터 첨단공정 증설을 중심으로 투자가 이어졌다. 시스템반도체 분야에서 삼성전자와 경쟁하고 있는 대만의 TSMC는 지난 한 해 300억달러(약 36조원)을 시설투자에 투입했으며, 올해는 440억달러(약 52조원) 규모로 투자할 계획이다.
디스플레이 분야는 삼성디스플레이가 강점을 나타내고 있는 중소형 유기발광다이오드(OLED) 모듈과 퀀텀닷(QD) 디스플레이 생산라인 등에 초점을 맞춰 시설투자가 이뤄졌다.
한편 삼성전자는 이날 콘퍼런스콜에서 현금 결산배당에 대해 발표했다. 삼성전자는 보통주 1주당 361원, 종류주 1주당 362원을 지급하기로 하고, 이 사안을 주주총회에서 의결하겠다고 밝혔다. 시가배당율은 0.5%, 배당금 총액은 2조4,529억원 수준이다.
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