삼성 '3나노 반도체' 세계 첫 출하…4년내 고객사 3배 확대

칩 면적 줄이고 성능은 높여

"파운드리 사업에 한획 그어"

경계현(왼쪽부터) 삼성전자 DS 부문 사장, 이창양 산업통상자원부 장관, 최시영 삼성전자 DS 부문 파운드리사업부장이 25일 삼성전자 화성 공장에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식'에서 주먹을 불끈 쥐어 보이고 있다. 연합뉴스

삼성전자(005930) 재무분석차트영역상세보기가 세계 최초로 양산한 게이트올어라운드(GAA) 기반 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 반도체 공정 제품을 공식 출하했다. 차세대 파운드리(반도체 위탁 생산) 산업에서 대만 TSMC를 따라잡고 1위로 올라설 주춧돌을 놓았다는 평가가 나온다.

삼성전자는 25일 경기 화성 공장 내 극자외선(EUV) 전용 V1 라인에서 차세대 트랜지스터인 GAA 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 열었다. 이 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관, 경계현 삼성전자 반도체(DS) 부문 사장을 비롯해 임직원, 협력사 관계자 등 100여 명이 참석했다.

GAA는 기존 핀펫(FinFET)보다 칩 면적을 축소하고 소비 전력도 줄인 기술이다. 당초 업계에서는 삼성전자가 공언한 올 상반기 3나노 반도체 양산 계획에 의문을 표했으나 보란 듯이 약속을 지켰다. 이는 각각 올 하반기, 내년 하반기를 양산 목표 시점으로 내세운 TSMC·인텔보다 한참 빠른 일정이다.



이 기술은 특히 지난달 20일 삼성전자 평택 공장을 찾은 조 바이든 미국 대통령이 시제품에 서명하면서 유명해졌다. 이재용 삼성전자 부회장은 당시 이 제품을 윤석열 대통령과 바이든 대통령에게 직접 소개했다.

경 사장은 이날 행사에서 “삼성전자가 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”고 자평했다. 이 장관은 “치열한 미세 공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장(소재·부품·장비) 업계가 힘을 모아달라”고 당부했다.