삼성전자가 12㎚(나노미터·10억분의 1m)급 D램 양산을 시작하며 반도체 ‘초격차’ 기술 수성에 나선다. 원가 절감·성능 향상으로 차세대 D램 규격인 DDR5 시장을 선점하면서 메모리 불황을 타개한다는 전략이다.
18일 삼성전자에 따르면 16Gb(기가 비트) 용량의 12나노급 DDR5 D램 양산을 시작했다. 회사의 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용해 전 세대 제품보다 생산성이 약 20% 향상됐다.
또한 이전 세대 제품보다 소비 전력은 약 23% 개선됐다. 삼성전자 관계자는 “12나노급 D램을 활용하는 데이터 센터 고객들이 전력 효율성을 높일 수 있다”고 설명했다.
또한 삼성전자는 (-) 전하 알갱이(전하)를 붙잡는 능력이 좋은 고유전율 신소재를 적용해서 정보를 저장하는 커패시터의 용량을 늘렸다.
DDR5 규격의 12나노급 D램은 초당 최대 7.2Gb 속도를 지원한다. 이 속도는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다. 삼성전자는 12나노급 D램에 대해 지난해 12월 AMD에서 호환성 검증을 마쳤다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장은 "12나노급 D램은 차별화한 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현한 제품"이라며 "첨단 D램을 적기 상용화해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.
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