오픈엣지, 삼성전자 파운드리로 '5나노 저전력 D램 IP' 개발

"협업 통해 글로벌 시장서 입지 확보"

서울 서초구 삼성전자 딜라이트 홍보관에서 관람객들이 웨이퍼 등 반도체 관련 전시물을 살펴보고 있다. 연합뉴스

반도체 설계자산(IP) 플랫폼 전문회사 오픈엣지테크놀로지(394280) 재무분석차트영역상세보기(오픈엣지)는 5㎚(나노미터·10억 분의 1m) 공정을 지원하는 저전력 D램의 PHY(시스템반도체와 메모리반도체 간 통신을 담당하는 인터페이스)를 삼성전자(005930) 재무분석차트영역상세보기 파운드리 사업부에서 제작한다고 20일 밝혔다.

최근 반도체는 시스템반도체와 메모리반도체가 함께 패키징 된 ‘통합칩셋(SoC)’ 형태로 만들어지고 있는데 오픈엣지가 설계한 PHY는 통합칩셋 내 시스템반도체와 메모리반도체가 데이터를 주고받을 때 활용될 예정이다. 오픈엣지의 PHY IP가 삼성전자 파운드리 사업부 공정에 적용되는 건 14㎚ 공정에 이어 이번이 두 번째다. 업계 최초로 개발 및 제작된 IP는 추후 팹리스 및 디자인하우스가 우선적으로 채택할 가능성이 높다.



이번 협업에 대해 신종신 삼성전자 파운드리 사업부 부사장은 “국내 최고 수준의 IP 기업인 오픈엣지와 추후 더 많은 협업을 통해 국내 시스템 반도체 시장을 함께 성장시켜 나가길 기대한다”고 말했다. 이성현 오픈엣지 대표는 “앞으로도 세계적인 반도체 기업과 지속적인 기술 협업으로 글로벌 시장에서의 신뢰와 입지를 확보해 나가겠다”고 밝혔다.