삼성전자(005930) 파운드리 사업부가 게이트올어라운드(GAA) 기반 최첨단 공정에 Arm의 차세대 시스템온칩(SoC) 설계 자산(IP)을 최적화한다고 21일 밝혔다. GAA 기술은 미세공정으로 회로가 미세해지면서 동반되는 발열 등 트랜지스터 성능 저하를 극복해줄 차세대 기술이다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 이 기술을 3나노 공정에 도입했다.
양사의 이번 협력을 통해 반도체 설계 전문 회사 팹리스 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고, 차세대 제품 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화한다는 전략이다. 이들은 우선 팹리스 기업에 적기에 제품을 제공하면서도 우수한 소비전력·성능·면적(PPA)를 구현하는 것에 초점을 맞춘다. 이를 위해 협력 초기 단계부터 설계와 제조 최적화를 동시에 처리하는 DTCO(Design-Technology Co-Optimization)를 채택해 Arm의 최신 설계와 삼성전자의 GAA 공정의 개선 효과를 극대화했다. Arm의 차세대 중앙처리장치(COU) 코어텍스-X에 대한 접근성도 높아진다.
양사는 이번 협업을 계기로 다양한 영역에서 협력을 확대할 방침이다. 차세대 데이터센터와 인프라 맞춤형 반도체를 위한 2나노 GAA와 미래 생성형 인공지능(AI) 모바일 컴퓨팅 시장을 겨냥한 AI 칩렛 솔루션을 순차적으로 선보일 계획이다.
계종욱 삼성전자 파운드리 사업부 디자인플랫폼개발실 부사장은 “양사는 다년간 쌓아온 견고한 파트너십을 통해 최첨단 기술과 노하우를 축적해왔다”며 “이번 설계 기술 최적화를 통해 팹리스 고객들에게 최선단 GAA 공정 기반 초고성능, 초저전력 코어텍스-CPU를 선보이겠다”고 말했다.
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