SK하이닉스(000660)가 TSMC와 차세대 고대역폭메모리(HBM)의 경쟁력을 높이기 위해 TSMC와 동맹을 강화한다. 차세대 제품에서는 HBM의 성능을 통제하는 베이스다이의 기술 복잡도가 높아지는 만큼 이 부분 경쟁력을 제고하기 위함이다.
SK하이닉스는 최근 대만 타이페이에서 TSMC와 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 19일 밝혔다. SK하이닉스는 이번 협력을 발판 삼아 6세대 HBM인 HBM4를 개발한다는 계획이다. 양산 목표 시점은 2026년이다.
양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스다이의 성능 개선에 집중한다. HBM은 베이스다이 위에 D램 단품 칩인 코어다이를 쌓아 올린 뒤 이를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 만든다. 베이스다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다.
SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스다이를 만들었으나 HBM4부터는 향상된 성능이 요구되는 만큼 로직반도체를 만드는 초미세 선단 공정을 활용한다. 회사는 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 계획이다. SK하이닉스 관계자는 “양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 첨단 패키징 기술을 최적 결합하기 위해 협력하고 HBM 관련 고객 요청에 공동 대응할 것이다”고 말했다.
김주선 SK하이닉스 AI인프라담당(사장)은 “TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것”이라며 “앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 토털 AI 메모리 프로바이더의 위상을 확고히 하겠다”고 말했다.
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