SK하이닉스가 올 4분기부터 내년 말까지 이천 사업장을 중심으로 최신 D램 생산능력을 대폭 끌어올린다. 독보적인 1위를 달리고 있는 고대역폭메모리(HBM) 외에도 모바일·PC 등 주요 매출원에서 D램 주문이 늘어나면서 수요 대응을 위해 공격적인 설비투자에 나서는 모습이다.
29일 업계에 따르면 SK하이닉스는 올해 4분기부터 내년 말까지 본사가 있는 이천 사업장을 중심으로 새로운 D램 생산 설비를 구축한다. 설비투자의 중심축은 최신 공장인 M16이다.
M16에는 올 4분기부터 내년 말까지 12인치 웨이퍼 기준으로 월 7만 장 이상의 생산 설비를 새롭게 갖출 예정이다. 이 설비는 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 5세대(1b) D램을 생산하는 라인이다. HBM용 램과 각종 전자 기기에 쓰이는 범용 D램 설비가 포함됐다.
10나노급 5세대 D램을 잇는 6세대 D램 양산에 관한 계획도 검토하고 있다. SK하이닉스는 내년 2분기께 10나노급 6세대 D램 시험 생산에 들어간 뒤 내년 말에 M16에 본격적인 장비 설치 작업에 돌입할 예정이다. 10나노급 6세대 D램은 이르면 올 8월 말 안에 연구소 내에서 테스트 통과를 목표로 하는 것으로 알려졌다. 한 업계 관계자는 “연구소에서의 10나노급 6세대 D램의 수율이 상당한 수준에 올라온 것으로 안다”고 설명했다.
대만 시장조사 업체인 트렌드포스에 따르면 올 3분기까지 SK하이닉스 M16의 월간 웨이퍼 투입량은 10만 장 수준이다. 올해 4분기부터 내년까지 SK하이닉스가 M16에 새로운 설비를 갖추게 되면 내년 말 이곳의 생산량은 올해보다 최대 80%가량 늘어나는 셈이다. M16의 총 D램 생산능력은 월 20만 장 정도인데 내년 설비투자로 생산 공간을 거의 꽉 채우려는 계획으로도 풀이된다.
SK하이닉스는 M16 외 다양한 공장에서 새로운 설비투자를 고려하는 것으로 알려졌다. SK하이닉스의 신규 D램 기지인 M15X에는 내년 11월 준공과 함께 10나노급 5세대 D램 설비가 곧바로 갖춰질 예정이다. M15X는 월 9만 장 안팎의 웨이퍼를 생산할 수 있는 공장인데 내년에는 이 공간의 약 10%가 채워질 것으로 관측된다. 이천의 또 다른 D램 공장인 M14를 10나노급 6세대 D램 라인으로 전환하는 방안 역시 검토되고 있다.
SK하이닉스가 올해 말부터 내년까지 공격적인 설비투자를 계획하는 것은 정보기술(IT) 시장에서 D램 수요가 급증하고 있기 때문이다. 지난해 사상 초유의 수요 부족 사태를 겪었던 SK하이닉스는 설비투자액으로 전년 대비 반 토막 낸 6조 5910억 원을 활용했다. 하지만 올 초부터 점진적으로 증가하는 D램 수요가 SK하이닉스의 지갑을 열게 만들고 있다.
SK하이닉스가 시장에서 독보적인 1위를 기록하고 있는 HBM은 물론 D램 등 메모리 전반의 수요가 빠르게 늘고 있다. 트렌드포스는 월간 리포트를 통해 올해 말까지 PC·서버·그래픽·모바일 등 주요 시장에서도 D램 공급 부족이 이어질 것으로 내다봤다. 올해와 내년에는 데이터센터 업계에서 D램 교체 수요가 발생하면서 서버용 제품의 수요 성장률이 20% 중반대를 기록할 것으로도 기대된다.
SK하이닉스는 지난해 초부터 엔비디아 등 주요 인공지능(AI) 반도체 고객사 주문에 대응하기 위해 HBM 생산 설비를 갖추는 데 집중했다. 반면 범용 D램 등은 감산했다. 최근 범용 D램의 부족 현상이 나타나는 이유다. 업계의 한 관계자는 “SK하이닉스는 세계 D램 시장에서 30% 이상의 점유율을 기록하고 있고 제품 가격과 공급량에 큰 영향을 미치는 회사”라면서 “HBM 투자에 ‘올인’하면서 다가올 범용 D램 공급 문제를 어떻게 해결할 것인지가 관건”이라고 말했다.
SK하이닉스 측은 이 사안에 대해 "회사의 기술 로드맵과 설비투자에 대해서는 확인할 수 없다"고 설명했다.
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