미국에 차세대 반도체 소재인 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 공장을 짓고 있는 SK실트론이 미국 에너지부로부터 7700억 원 규모의 대출 지원을 확정했다.
13일 업계에 따르면 SK실트론의 미국 법인 SK실트론CSS는 5일 미국 에너지부 정책자금(ATVM) 프로그램 본계약을 체결했다.
SK실트론은 2월 미국 에너지부 정책자금을 통해 5억 4400만 달러의 사업 자금을 대출 형태로 지원받기로 했다. 당시 조건부 승인 상태였던 대출 지원이 기술과 법률·환경·재정 조건 등 세부 계약 조건을 충족하면서 확정된 것이다. 원금 4억 8150만 달러, 이자 6250만 달러를 합한 액수다. 앞서 SK실트론은 SiC 웨이퍼 공장 증설 프로젝트 중 3억 달러의 투자와 관련해 미시간 주정부로부터 7700만 달러(약 1050억 원)를 지원 받기도 했다. ★본지 4월 12일자 11면 참조
SK실트론은 2021년부터 2026년까지 미국 미시간주 베이시티에 6억 4000만 달러 규모를 투자해 SiC 웨이퍼 생산량을 10배 이상 늘릴 예정이다. 현재 150㎜(6인치) SiC 웨이퍼만 양산하고 있다. 하지만 2025년에는 200㎜(8인치) 웨이퍼까지 양산하겠다는 목표로 연구개발(R&D)에도 투자하고 있다.
SiC는 기존 웨이퍼 소재인 실리콘(Si)과 비교해 전력 효율과 내구성이 뛰어나다. 많은 양의 전력을 소화하면서도 경량화가 가능하다는 점 때문에 전기차 산업의 숙제를 해결해줄 핵심 기술로 주목 받고 있다. 시장조사 업체 욜디벨롭먼트에 따르면 SiC 전력반도체 시장 규모는 올해 38억 달러에서 2028년 89억 달러까지 연평균 31% 성장할 것으로 전망된다.
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