고대역폭메모리(HBM) 수출통제라는 부담에도 시안·우시 공장 등 국내 반도체 기업의 중국 생산기지들은 일단 한숨을 돌리게 됐다. 미국 정부의 추가 제재안에서 중국 현지 공장에 대한 장비 규제가 현행 수준을 유지하게 되면서다. 삼성전자와 SK하이닉스가 중국 현지에서 추진 중인 차세대 공정 전환 작업도 일단 순조로울 것으로 전망된다.
미국의 추가 제재안 발표를 앞두고 중국 생산기지에는 긴장감이 감돌았다고 한다. 일각에서 미 상무부 추가 제재로 삼성전자의 시안 낸드플래시 공장, SK하이닉스의 우시 D램 공장 등 중국 생산 시설에도 장비 반입이 중단될 수 있다는 관측이 제기됐기 때문이다. 삼성전자는 전체 낸드 생산량의 40%를 시안에서, SK하이닉스는 D램의 45%를 우시에서 생산할 정도로 중국 공장은 국내 업계에 중요한 생산기지다.
두 회사의 중국 공장은 극자외선(EUV) 노광 장비 등 일부를 제외하고는 미국 규제에서 벗어났다. 2022년 10월 미 상무부가 발표한 반도체 장비 수출제한 규정에서 검증된 최종 사용자(VEU)로 인정받아 예외적으로 미국 기술이 들어간 반도체 장비를 들여올 수 있었기 때문이다.
두 회사의 차세대 공정 전환은 계획대로 진행될 것으로 전망된다. SK하이닉스의 우시 공장은 현재 선단 제품보다 1~2세대 뒤처진 레거시 제품을 주력으로 생산하고 있는데 SK하이닉스는 이를 1a D램 생산 공정으로 전환하는 작업을 진행하고 있다. 1a D램은 더블데이터레이트5(DDR5) 등 최선단 D램 제품으로 양산된다.
삼성전자도 중국 시안 낸드플래시 공장의 공정을 최신화하고 있다. 현재 생산 중인 128단 V6 낸드플래시 라인을 236단 V8으로 업그레이드하는 공정 전환을 추진 중이다. 낸드플래시 단수는 셀을 적층한 수로, 숫자가 높을수록 용량이 늘어나는데 236단 낸드는 현재 기준 삼성전자 최선단 낸드플래시다.
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