LB세미콘, DB하이텍과 전력반도체 기술 협력

전력반도체용 RDL 협력

DB하이텍 SiC, GaN 연구도 참여

LB세미콘 회사 전경. 사진제공=LB세미콘

LB세미콘이 DB하이텍과 전력반도체용 재배선층(RDL) 기술을 협력 개발한다고 5일 밝혔다.

두 회사는 2025년 1분기 양산을 목표로 RDL 기술 개발을 진행하고 있다. 제품 신뢰성을 높이기 위해 구조를 개선하고 소재도 변경하고 있다.



DB하이텍과의 협업에는 LB루셈도 참여한다. LB세미콘은 재배선층의 전면 공정을 맡고, LB루셈은 후면 공정을 담당해 각사의 기술적 강점을 최대한 활용한다는 계획이다.

또한 LB세미콘은 DB하이텍의 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 제품 개발에도 참여한다. DB하이텍은 현재 8인치 SiC·GaN 반도체 신사업을 추진 중이다. SiC와 GaN은 차세대 전력 반도체 소재다. 기존 실리콘 기반 반도체보다 단단하고 열에 강해 전기차, 에너지저장장치(ESS), 인공지능(AI) 등 응용처에 활용된다.

LB세미콘 관계자는 "DB하이텍과의 기술 협력으로 미래 성장 동력을 확보하고, 급성장하는 차세대 고부가 전력 반도체 시장을 주도할 것"이라고 말했다.