인텔, 美 오레곤 첨단 반도체 기지 확장…“18A 기술 2024년 하반기로 앞당길 것”

인텔의 오레곤 반도체 생산 설비 D1X.

인텔이 미국 오레곤 반도체 생산 시설 D1X를 확장했다. 이곳에서 18A(1.8나노) 초미세 공정 운영을 기존 목표인 2025년에서 2024년 하반기로 앞당겨 시작하겠다고 밝혀 주목을 끈다.

인텔은 지난 11일(현지시간) 미국 오레곤 주 힐스보로 반도체 생산 시설 D1X를 30억달러(약 3조3000억원)를 투입해 확장했다. 2019년부터 확장 공사를 진행한 D1X에는 약 2만5000㎡ 규모 클린룸이 추가됐다.

인텔은 D1X 시설에서 인텔 20A(2나노), 신규 트랜지스터 구조 리본펫, 새로운 전력 기술 파워비아 등 초미세 공정을 적용한 제품 생산에 나선다.



ASML의 차세대 EUV 장비인 하이-NA 노광기도 이곳에 들인다. 또 차세대 반도체 연구개발(R&D)의 중추 기지가 될 것으로 보인다.

인텔은 특히 2025년부터 운영을 시작하려던 18A 공정 라인을 2024년 하반기부터 운영한다고 밝혀 업계의 관심을 끌었다.

삼성전자, TSMC 등 라이벌 업체와 선단 공정 경쟁을 벌이고 있는 인텔의 승부수로 해석된다.

팻 겔싱어 인텔 CEO는 "D1X는 인텔의 도전적인 IDM 2.0 전략을 위해 역량을 강화할 것"이라고 밝혔다.