삼성전자(005930)가 게이트올어라운드(GAA) 기반 3나노미터(㎚·10억분의 1m) 반도체 공정 양산을 이르면 이번 주에 발표한다. 파운드리(반도체 위탁 생산) 업계에서는 세계 최초로 1위 업체인 대만의 TSMC보다 빠른 일정이다.
22일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 안으로 차세대 GAA 기반의 나노미터 반도체 공정 양산을 공식 발표한다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적을 축소하고 소비 전력도 줄인 기술이다.
이 기술은 특히 지난달 20일 삼성전자 평택 공장을 찾은 조 바이든 미국 대통령이 시제품에 서명하면서 널리 유명세를 탔다. 이재용 삼성전자 부회장이 당시 이 제품을 윤석열 대통령과 바이든 대통령에게 직접 소개했다.
삼성전자는 이전부터 GAA 기반 3나노미터 반도체를 올 상반기 내 양산하겠다고 공언한 바 있다. TSMC가 3나노미터 반도체를 양산하겠다고 한 시점은 올 하반기다.
그간 업계 일각에서는 삼성전자가 수율(결함이 없는 합격품의 비율) 문제로 3나노미터 반도체 양산을 미루는 게 아니냐는 우려가 나왔다. 실제로 올 초에도 초미세 공정 파운드리 수율 문제로 주요 고객사가 이탈했다는 소문도 돌았다. 3나노미터 반도체 양산 이후의 성패도 결국 안정적인 수율 확보에 달렸다는 분석이다. 삼성전자 관계자는 “3나노 양산 일정은 예정대로 차질없이 진행하고 있다”고 설명했다.
업계는 이번 3나노미터 제품 양산으로 삼성전자가 시스템반도체 등 비메모리 분야에서 TSMC를 추격할 발판을 마련한 것으로 평가했다. 2019년 이 부회장이 제시한 2030년 시스템반도체 세계 1위 비전에도 속도가 붙을 것으로 전망된다. 삼성전자는 미국 텍사스주 테일러시에 170억 달러를 투입해 제2 파운드리 공장도 짓는다. 이 부회장도 이달 18일 유럽 출장 귀국길에서 “첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술”이라고 강조했다.
대만 시장조사 업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 올 1분기 파운드리 매출은 53억 2800만 달러(약 6조 4000억 원)로 지난해 4분기보다 3.9% 감소했다. 글로벌 10대 주요 업체 가운데 1분기 매출액이 유일하게 줄었다. 시장점유율도 18.3%에서 16.3%로 하락했다. 반면 TSMC는 같은 기간 매출액이 11.3% 증가한 175억 2900만 달러에 달했다. 점유율도 52.1%에서 53.6%로 늘어났다.
삼성전자의 현 주력 업종인 메모리 분야의 전망도 어둡다. 트렌드포스는 최근 보고서를 통해 올해 3분기 D램과 낸드플래시 가격이 2분기보다 각각 3~8%, 0~5% 하락할 것으로 예상했다. 러시아·우크라이나 전쟁과 인플레이션에 따른 수요 위축 효과다.
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