램리서치, 극저온 낸드 채널홀 식각 기술 '램 크라이오 3.0' 공개

램리서치 극저온 식각 공정. 사진제공=램리서치

램리서치가 3세대 극저온 식각장비인 '램 크라이오' 3.0을 출시했다고 1일 밝혔다.

램 크라이오 3.0은 극저온에서 낸드플래시의 채널홀 식각 공정을 진행하는 것이 특징이다. 램리서치 측은 고출력 파워, 플라즈마 리액터, 공정 개선 등으로 낸드 채널홀 구조의 임계치수 편차를 0.1% 미만으로 유지하며, 최대 10마이크로미터(㎛·100만 분의 1m) 깊이로 식각할 수 있다고 설명했다.



기존 기술과 비교해 에너지 소비, 탄소 배출량도 대폭 감소했다. 램리서치는 신규 기술로 식각 공정을 진행하면 웨이퍼 당 에너지 소비를 40% 절감할 수 있다고 설명했다. 또한 새로운 식각 가스를 사용하면 탄소 배출량도 최대 90% 줄일 수 있다.

세샤 바라다라잔 램리서치 수석 부사장은 "기존 유전체 공정 대비 2.5배 식각률을 달성했고, 옹스트롬 수준의 정밀도로 고종횡비 채널홀을 일정하게 구현할 수 있다"고 말했다.