파운드리(반도체 위탁 생산) 사업 복귀 과정에서 실적 악화에 시달리고 있는 인텔이 두 번째 ASML 하이NA 극자외선(EUV) 장비를 도입 중이라고 밝혔다. 올해 납품되는 하이NA EUV 2대를 모두 인텔이 구매한 것이다. 보릿고개를 지나고 있으나 파운드리 최선단 공정 우선 진입이라는 목표를 포기하지 않겠다는 의지가 담겼다는 해석이 나온다.
5일(현지 시간) 로이터통신에 따르면 팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)는 1일 실적 발표 이후 가진 콘퍼런스콜에서 “두 번째 하이NA 장비가 오리건 팹에 들어오고 있다”며 “기술 투자가 긍정적인 초기 지표를 보이고 있다”고 밝혔다. 하이NA EUV는 현 EUV의 뒤를 잇는 초미세공정용 노광장비다. 기존 EUV보다 한층 더 미세한 파장을 지녀 ‘마의 벽’인 2㎚(나노미터·10억분의 1m)를 뚫는 데 필수다. 인텔은 하이NA EUV를 통해 TSMC, 삼성전자보다 한발 빨리 1나노대 공정에 진입하겠다는 목표를 밝혀왔다.
인텔은 지난해 12월 ASML의 첫 하이NA EUV를 납품받는 등 총 6대의 장비 구매 계약을 맺은 것으로 알려져 있다. ASML은 7월 두 번째 하이NA EUV를 익명의 고객사에 배송하기 시작했다며 올해는 두 번째 장비 납품까지의 매출만 발생할 것이라고 밝힌 바 있다. 지난해 말부터 지금까지 생산된 장비 두 대 모두 인텔로 향한 것이다.
ASML은 현재 TSMC·삼성전자·인텔·SK하이닉스·마이크론 등 주요 반도체 업체들로부터 총 12대 이상의 하이NA EUV 주문을 받은 것으로 알려져 있다. 인텔이 초기 생산분을 선점하면서 TSMC와 삼성전자는 내년에야 하이NA EUV를 받아볼 수 있을 것으로 전망된다. 차세대 파운드리 공정을 위한 장비 확보전에서 인텔이 한발 앞선 셈이다.
인텔은 파운드리 투자 부담과 중앙처리장치(CPU) 판매 감소에 따른 실적 악화 등에 신음하고 있다. 이에 인력 15%가량을 해고하는 등 구조조정에도 나서고 있다. 하이NA EUV 추가 도입은 실적 악화 속에서도 파운드리 ‘올인 전략’을 포기하기 않겠다는 뜻이다. 인텔은 2027년 하이NA EUV를 이용한 초미세공정 반도체 양산에 돌입해 2030년까지 파운드리 분야에서 흑자 전환을 이루겠다는 목표다.
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