SK하이닉스, 10나노급 6세대 D램 '세계 최초' 개발 …내년 제품 공급

삼성전자보다 최선단 제품 개발 빨라

EUV 신소재 등 적용…생산성 30%↑

SK하이닉스의 10나노급 6세대 D램. 사진제공=SK하이닉스

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 D램을 개발했다. 연내 양산 준비를 마치고 내년부터 세계 최대의 데이터센터 회사에 이 D램을 공급할 계획이다.

29일 SK하이닉스는 10나노급 6세대 공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발에 성공했다고 밝혔다. SK하이닉스 측은 “연내 10나노급 6세대 DDR5 D램에 관한 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급할 것”이라고 설명했다.

SK하이닉스는 10나노급 6세대 제품을 D램 업계 1위인 삼성전자보다 먼저 개발했다. 삼성전자는 4월 미국에서 열린 ‘멤콘 2024’를 통해 연내 이 제품을 개발한다고 발표한 적 있으나, SK하이닉스가 먼저 개발 완료 소식을 알린 것이다.

SK하이닉스는 전작인 10나노급 5세대 D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 신제품을 개발했다. 공정 고도화에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이면서, 10나노급 5세대 D램이 가지고 있던 장점을 신제품에 극대화했다.



특히 이번 D램에는 초미세 공법인 극자외선(EUV) 공정 일부에 신소재를 개발해서 첫 적용했다. D램 설계 기술도 개선해서 생산성이 전작보다 30% 이상 높였다.

10나노급 6세대 D램은 주로 고성능 데이터센터용으로 활용된다. 이 DDR5 D램의 동작속도는 초당 8기가비트(8Gbps)로, 전작보다 11% 빨라졌다. 전력효율은 9% 이상 개선됐다. 회사는 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 데이터센터 고객사들이 SK하이닉스의 신제품을 서버에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있다고 강조했다.

김종환 SK하이닉스 부사장은 “10나노급 6세대 D램 기술을 차세대 고대역폭메모리(HBM), LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용할 것“이라고 말했다.