SK하이닉스(000660)가 올 1분기에 사상 최대 수익을 올리며 영업이익이 7조 원을 넘어설 것으로 파악됐다. SK하이닉스는 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E의 수요 폭발과 연말쯤 양산할 6세대(HBM4) 제품을 위해 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 5세대 D램에 관한 시설 투자도 대폭 확대할 것으로 알려졌다.
22일 금융투자 업계에 따르면 SK하이닉스는 1분기에 17조 원 이상의 매출과 7조 원 초반을 상회하는 영업이익을 기록했다. 금융정보 업체 에프앤가이드는 그간 SK하이닉스의 1분기 영업이익 컨센서스를 6조 6000억 원으로 예상했는데 이달 24일 이 같은 실적이 확정·발표되면 ‘어닝서프라이즈’인 셈이다.
SK하이닉스는 지난해 1분기 매출 12조 4296억 원, 영업이익 2조 8860억 원을 기록한 바 있어 1년 만에 매출은 약 40%, 영업이익은 140% 이상 치솟게 된다. 1분기 기준 최대 영업이익을 기록한 2018년 실적(4조 3673억 원)도 가볍게 넘는 사상 최고 수익이다.
SK하이닉스의 1분기 실적이 이같이 확정되면 삼성전자(005930)의 전사 수익 규모를 뛰어넘게 된다. 앞서 8일 삼성전자는 1분기 잠정 영업이익으로 6조 6000억 원을 신고한 바 있다. 또 삼성전자의 반도체(DS) 부문에서 메모리사업부는 1분기 3조 5000억 원 안팎의 영업이익을 올렸을 것으로 추정된다. 업계 관계자는 “SK하이닉스가 1분기 삼성전자 D램 매출을 꺾었는데 2·3분기에도 앞지를 가능성이 적지 않다”고 분석했다.
SK하이닉스의 1분기 호실적은 단연 HBM 경쟁력 덕분이다. HBM은 여러 개의 D램을 쌓은 인공지능(AI) 메모리다. 회사는 AI 반도체 1위 엔비디아와 끈끈하게 협력하면서 이 분야에서 독보적 1위를 달리고 있다. 최근 도널드 트럼프 미국 행정부가 단행한 대중(對中) 엔비디아 칩 수출 규제 등 지정학적 문제에도 SK하이닉스의 D램·HBM 라인은 풀가동되고 있다.
SK하이닉스는 1분기 실적 호조와 지속적인 HBM 수요 증가를 감안해 시설 투자를 공격적으로 확대할 예정이다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 최첨단 D램인 HBM3E의 재료인 10나노급 5세대(1b) D램 생산능력을 기존 계획보다 40% 이상 늘릴 방침이다.
당초 SK하이닉스는 올 1분기부터 내년 1분기까지 신규 투자 및 공정 전환을 통해 월 11만 장가량의 5세대 D램 라인을 추가한다는 계획을 세웠다. 그러나 1분기 이후에는 월 15만~16만 장까지 증설하기로 결정했다.
SK하이닉스는 지난해 말까지 월 9만 장 규모의 10나노급 5세대 D램 생산능력을 보유했던 것으로 알려졌다. 하지만 내년 1분기까지 이천 M16과 청주 M15X를 중심으로 5세대 D램에 투자하면서 12인치 웨이퍼 기준 월 25만 장가량의 생산능력을 확보하게 될 것으로 보인다. SK하이닉스의 전체 D램 생산량(약 50만 장)의 절반 수준을 차지할 만큼 비중이 높다.
다만 2월 내부 인증을 마친 10나노급 6세대 D램의 경우 투자 속도를 기존 계획보다 늦출 것으로 예상된다. 올 3분기부터 이천 캠퍼스에서 시작할 예정이던 6세대 D램 투자는 내년 1분기로 미루는 것을 검토하고 있다. 업계 관계자는 “현재 10나노급 5세대 D램이 활용되는 HBM3E와 HBM4의 수요가 많고 5세대 D램 성능도 충분히 고객사를 만족시킬 만한 것으로 안다”고 설명했다.
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