삼성·SK "차세대 기술로 고성능 메모리 구현할 것"

세계반도체硏, GSA 콘퍼런스 개최

한진만 부사장·이석희 사장 참석

이석희 SK하이닉스 사장이 GSA 컨퍼런스 기조연설에서 발표하고 있다.

이석희(사진) SK하이닉스 사장이 차세대 메모리 기술 구현을 위한 ‘3S 가치’를 제안했다. 이는 스케일링(Scaling), 소셜(Social), 스마트(Smart)의 앞 글자를 딴 것이다. 한진만 삼성전자 부사장도 삼성전자의 차세대 메모리 기술과 공정을 소개했다.

15일 이 사장은 세계반도체연합(GSA)에서 개최한 ‘2021 GSA 메모리 콘퍼런스’에서 기조연설에 나서 이같이 밝혔다. 3S 중 스케일링은 속도 향상, 고집적, 전력 효율화를 위한 칩 크기 축소를 말한다. 최근 SK하이닉스가 극자외선(EUV)을 활용한 10나노급 4세대(1a) D램을 양산한 것이 예시다.

‘소셜’은 사회적 가치다. 고성능 메모리 반도체 구현도 중요하지만 환경문제를 해결할 수 있는 고효율 반도체 기술도 중요하다는 게 이 사장의 생각이다.

마지막으로 ‘스마트’ 가치는 차세대 메모리 아키텍처와 관련된 것이다. 이 사장은 로직 반도체와 메모리가 융합된 새로운 장치로 효율성 문제에 접근해야 한다고 주장했다.



이 사장은 연설 말미에 이러한 기술 진보를 위해 칩 메이커와 협력사 간의 끈끈한 협력도 강조했다. “SK하이닉스는 반도체 소재·장비·시스템 회사들과 새로운 파트너십을 만들기 위해 노력 중”이라고 강조했다.

한진만 삼성전자 부사장이 차세대 메모리 기술을 발표하고 있다. /사진 제공=삼성전자 뉴스룸

이날 행사에서는 한진만 삼성전자 부사장도 차세대 메모리 설계 기술과 공정에 대해 발표했다. 한 부사장은 메모리와 시스템 반도체를 융합한 고대역폭-프로세싱인메모리(HBM-PIM), D램 용량 한계를 극복한 CXL D램을 소개했다. 또 그는 EUV D램, 하이K 메탈게이트(HKMG) 등 공정 기술 혁신도 언급했다.

한 부사장은 “삼성전자는 새로운 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 메모리 솔루션 개발을 주도하고 있다”고 말했다.