내년 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 삼성전자(005930)가 점유율 30%를 넘길 것이라는 전망이 나왔다. 올해 상반기 SK하이닉스(000660)와 미국 마이크론에 밀려 고전했지만 차세대 제품인 HBM4는 본격적으로 엔비디아 공급망에 진입해 판매량이 늘어날 것이라는 분석이다.
24일 시장조사 업체 카운터포인트리서치가 발표한 최신 메모리 반도체 집계치에 따르면 2분기 HBM 시장에서 SK하이닉스가 점유율 62%로 1위를 차지했다. 마이크론이 21%로 2위, 삼성전자는 17%로 3위를 차지했다. 전 세계 HBM 10개 중 8개를 한국 기업이 생산하는 셈이다.
카운터포인트는 2분기 삼성전자가 예상보다 저조한 시장 점유율을 기록했지만 내년에는 HBM 시장에서 점유율 30%를 웃돌 것이라고 내다봤다. 최근 주요 고객향 HBM3E 제품 인증을 앞두고 있는 데다 내년 HBM4 수출을 기반으로 점유율을 확대할 수 있다는 것이다.
삼성전자는 HBM4에 한 단계 앞선 10나노급 6세대(1c) D램, 자사 파운드리 4나노 등의 공정을 도입했다. 올해 7월 1c 나노 공정의 HBM4 개발을 완료해 주요 고객사에 샘플을 출하했고 연내 양산 체제 구축이 예상된다. 삼성전자가 개발하고 있는 HBM4는 셀 집적도를 높여 전 세대 대비 40% 전력 효율이 개선됐고 데이터 처리 속도도 11Gbps에 달하는 것으로 알려졌다. 개발이 완료되는 대로 ‘규모의 경제’ 전략을 펴기 위해 멈춰 있던 평택 5공장(P5) 공사도 최근 재개했다.
카운터포인트는 HBM4가 출시되면 한국 업체들의 HBM 시장 지배력이 더욱 공고해질 것으로 예상했다. HBM 선두 주자인 SK하이닉스는 HBM4 개발을 마무리하고 최근 양산 체제를 구축했다. 품질 테스트를 통과하면 내년 말 양산 예정인 엔비디아의 차세대 인공지능(AI) 그래픽처리장치(GPU)인 ‘루빈’에 탑재된다. 중국 업체들이 HBM 제품을 개발하며 기술 추격을 시도하곤 있지만 난도가 높아 아직 제대로 구현하지는 못하고 있다.
최정구 책임연구원은 “중국은 CXMT를 중심으로 HBM3 개발을 추진하고 있으나 동작속도와 발열 등 기술적 문제를 아직 해결하지 못했다"며 "당초 올해로 예상됐던 출하는 내년 하반기에나 가능할 것으로 보인다”고 분석했다. 이어 “최근 이슈가 된 화웨이의 자체 HBM 역시 일반적인 HBM 제품 대비 속도가 절반 이하에 불과한 초기 단계 제품으로 판단된다”고 덧붙였다.
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